MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。

MOCVD的優(yōu)點有哪些：

1 適用范圍廣泛，幾乎可以生長所有化合物及合金半導體;

2 非常適合于生長各種異質結構材料;

3 可以生長超薄外延層，并能獲得很陡的界面過渡;

4 生長易于控制;

5 可以生長純度很高的材料;

6 外延層大面積均勻性良好;

7 可以進行大規(guī)模生產。

中國MOCVD系統(tǒng)發(fā)展

2012年12月12號，中國首臺具有世界先進水平的大型國產MOCVD設備發(fā)運慶典在張江高新區(qū)核心園舉行。

作為LED芯片生產過程中最為關鍵的設備，MOCVD的核心技術長期被歐美企業(yè)所壟斷，嚴重制約了中國LED產業(yè)的健康發(fā)展。中晟光電設備上海有限公司于2012年1月18日成功實現(xiàn)了擁有自主創(chuàng)新知識產權的具有世界先進水平的大型國產MOCVD設備下線，僅用了10個月時間，又完成了工藝的開發(fā)和設備進一步的改進優(yōu)化，完成了設備產業(yè)化生產必備條件與設施的建立；在此基礎上又完成了4家客戶的多次實地考察，親臨操作設備和驗證各項工藝。

客戶充分肯定了中晟設備的技術方向和設計上的世界先進性，也對設備用于大規(guī)模生產提出了進一步改進的建設性要求。使該設備同時具有目前世界上最高的系統(tǒng)產能、最低的外延生產成本、良好的波長均勻性、大規(guī)模外延生產所需的各項關鍵性能等4項核心的差異競爭力。這次我國首臺具有世界先進水平的大型國產MOCVD設備成功發(fā)運，不僅標志著在實現(xiàn)中國大型MOCVD設備國產化戰(zhàn)略目標的征途上，中晟邁開了具有里程碑意義的一步，而且充分體現(xiàn)了中國有能力在高端裝備領域實現(xiàn)跨越式的發(fā)展。

國外MOCVD系統(tǒng)發(fā)展

隨著化合物半導體器件(如 GaAs MMIC、 InP MMIC以及GaN藍光LED)市場的不斷擴大，MOCVD系統(tǒng)的需求量不斷增長。國際上實力最為雄厚的MOCVD系統(tǒng)制造商有:德國Aixtron公司、美國的Emcore公司（其MOCVD已被Veeco兼并）、英國的Thomass~(1999年被Aixtron兼并)等。因為MOCVD系統(tǒng)最關鍵的問題就是保證材料生長的均勻性和重復性，因此不同廠家的MOCVD系統(tǒng)最主要的區(qū)別在于反應室結構。Aixtron采用行星反應(Planetary Reactor)，Emcore采用TurboDisc反應室(該業(yè)務己出售給Veeco公司)、Thomas Swan(該公司于2003年2月份被Aixtron兼并)采用 Closed Coupled Showerhead(CCS)反應室。

國內擁有的進口MOCVD系統(tǒng)700臺左右，其中 Aixtron MOCVD系統(tǒng)和Emcore MOCVD系統(tǒng)占絕大多數，有少量的 Thomas Swan MOCVD系統(tǒng)、法國ASM MOCVD系統(tǒng)和日本RIPPON SANSO MOCVD系統(tǒng)，主要用于GaN LD/LED的研究和制造。